英飞凌致力于使汽车更环保、更安全和更智能。在新能源汽车领域，凭借丰富的行业和汽车产品经验，以及多种高效动力总成元器件的产品组合，英飞凌成为所有混合动力汽车和纯电动汽车领域所需的最理想的合作伙伴，也是唯一一家可提供给客户从低压12V、48V、弱混、中混、强混、插电式到纯电驱动汽车所有电压区间汽车级功率半导体及模块供应商。

     目前，混合动力汽车和纯电动汽车(xEV)的电力驱动系统大量采用硅（Si）功率半导体器件。然而，随着对新能源汽车的需求日益增长，提高系统效率和增加功率密度已成为优化系统设计的迫切需求。

       传统硅（Si）功率半导体器件在诸多方面的性能已达到了极限，碳化硅(SiC)正成为突破硅性能瓶颈的首选材料。低开关损耗、耐高温和高开关频率等性能亮点，令其成为实现xEV最佳性能的理想选择。与传统解决方案相比，基于碳化硅（SiC）的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。

        碳化硅（SiC）器件比硅（Si）器件具备更高的电流密度，在功率等级相同的条件下，采用碳化硅（SiC）器件可将电力驱动系统体积减小3~5倍，使系统的功率密度更高、设计更紧凑。

        在相同的续航能力下，基于碳化硅（SiC）的驱动系统解决方案所需的电池重量和体积更小。同样，在相同的电池容量下，基于碳化硅（SiC）的驱动系统使电动车续航里程更长。当电池容量超过40 kWh时，电池容量越大，使用碳化硅（SiC）带来的成本节省越显著。

       IGBT模块是混合动力汽车和纯电动汽车中逆变器的关键元件，功率密度越高，电力驱动系统的设计则越紧凑。在相同功率等级下，全碳化硅（SiC）模块的封装尺寸显著小于硅（Si）模块；在相同封装下，全碳化硅（SiC）模块具备更高电流输出能力，支持逆变器达到更高功率。

      作为全球汽车功率半导体的领导者，英飞凌在市场上拥有最广泛的技术和产品组合。英飞凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓(GaN)领域均拥有丰富的经验，并提供创新的封装和栅极驱动器解决方案。

        英飞凌正利用在高压元器件和汽车电子领域超过五十年的经验，将碳化硅（SiC）的技术优势带入汽车领域，支持合作伙伴实现能充分发挥碳化硅（SiC）性能优势的新一代新能源汽车产品。

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