2月18日，恩智浦半导体与中芯国际宣布共同开展长期技术研发与本地化合作，支持“中国制造2025”，推动中国半导体产业创新升级。双方将通过联合创新，共同开发全球领先的高性能超低功耗带嵌入式闪存技术的混合信号产品制造工艺。

        双方将在工信部的指导和支持下，积极整合国际研发技术和优势资源，建立战略性合作项目服务于中国市场，进一步推动本地集成电路技术发展和中国制造业创新升级。中芯国际提供国内最先进的40纳米标准CMOS数模混合电路工艺平台，恩智浦将全球最先进的40纳米嵌入式闪存技术根植于中芯国际的工艺平台。联合开发的新工艺将满足高性能超低功耗产品大批量生产的严格要求，并对国内高性能混合电路产品领域的人才培育起到重要推动作用。