中国研发新型存储芯片:性能快了100万倍
环球网 2018-04-12
相比三星、东芝、美光等公司,中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年,不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术,前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存,性能是普通存储芯片的1000倍,现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片,他们使用了半导体结构,研发的存储芯片性能优秀,是传统二维存储芯片的100万倍,而且性能更长,刷新时间是内存的156倍,也就是说具备更强的耐用性。